有研究報(bào)道人造分子磁鐵可延長(zhǎng)量子比特壽命。據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)3月21日?qǐng)?bào)道，由英國(guó)牛津大學(xué)和曼徹斯特大學(xué)組成的聯(lián)合研究小組通過(guò)化學(xué)工程，制造出一種名為Cr7Ni的特殊分子結(jié)構(gòu)，并演示了其磁性能保持量子疊加態(tài)超過(guò)15微秒，在因退相干而失去信息之前，它們的自旋狀態(tài)可反復(fù)轉(zhuǎn)換。研究人員指出，這一成果為未來(lái)的量子計(jì)算機(jī)中用分子磁鐵作為量子比特提供了證據(jù)。相關(guān)論文發(fā)表在近期《物理評(píng)論快報(bào)》上。

分子磁鐵是一種分子，其磁矩通常按分子結(jié)構(gòu)的特殊軸線(xiàn)排布，因此在磁場(chǎng)的影響下，其電子自旋方式也會(huì)變成不止一種狀態(tài)。在低溫下，即使沒(méi)有磁場(chǎng)，它們也能保持這種狀態(tài)，這一特性使采用它們來(lái)存儲(chǔ)信息成為可能。

利用化學(xué)工程合成人造分子，可以作為量子比特，并使其記憶時(shí)間段大大延長(zhǎng)。研究人員介紹說(shuō)，實(shí)現(xiàn)單量子比特操作的必要時(shí)間為10納秒，根據(jù)以往對(duì)Cr7Ni分子磁鐵的研究，其相干時(shí)間大大超過(guò)了這一限制。此前的記憶時(shí)段最高記錄為3.8微秒，另外一些分子磁鐵系統(tǒng)的記憶時(shí)長(zhǎng)也能保持在1微秒左右。

“記憶時(shí)段和相干時(shí)間是非常相似的概念。”論文合著者、牛津大學(xué)的阿章·阿達(dá)萬(wàn)說(shuō)，“記憶時(shí)段越長(zhǎng)，表明在量子信息損失之前，能操控量子比特的次數(shù)越多。如果能精確控制分子結(jié)構(gòu)，找出各種退相干的機(jī)制，就能盡可能減少這些退相干因素?！?

新研究中，他們找出了使分子磁鐵退相干的特殊來(lái)源（原子核自旋擴(kuò)散和光譜擴(kuò)散），研究了怎樣才能最優(yōu)化分子結(jié)構(gòu)以盡可能地延遲退相干。

他們改變了Cr7Ni分子結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)關(guān)鍵部分（某個(gè)陽(yáng)離子和配合基），并比較了它們之間的差異。他們還專(zhuān)門(mén)研究了在低溫條件下這些不同結(jié)構(gòu)的分子保持自旋狀態(tài)的情況，測(cè)量了它們的退相干時(shí)間。最終造出了結(jié)構(gòu)最優(yōu)化的Cr7Ni工程分子磁鐵，其保持記憶時(shí)段超過(guò)15微秒，這比操作單量子比特必要的時(shí)間高出好幾個(gè)數(shù)量級(jí)，也大大超過(guò)了以往研究的記錄。

研究人員表示，這一結(jié)果會(huì)大大提高人們操控分子磁鐵簇內(nèi)部量子態(tài)的能力，他們還將對(duì)控制方法做進(jìn)一步研究?！鞍凑绽碚撛O(shè)想，可以通過(guò)電場(chǎng)來(lái)操控分子磁鐵的磁性，我們正在對(duì)此進(jìn)行檢驗(yàn)?！卑⑦_(dá)萬(wàn)說(shuō)，“我們會(huì)檢驗(yàn)多種可能性。我們的同事專(zhuān)門(mén)研究怎樣通過(guò)化學(xué)工程方法，合并多個(gè)連接著的分子磁鐵，并把它們合成更大的分子結(jié)構(gòu)，而我們負(fù)責(zé)用這些分子開(kāi)發(fā)出簡(jiǎn)單的多量子比特算法?！?